MJD44H11T4G
规格信息：

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:5 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1 V

最大直流电集电极电流:8 A

增益带宽产品fT:85 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD44H11          

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:60

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors